K9MDG08U5M vs K9QDGB8U7M Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K9MDG08U5M por Samsung Electronics e K9QDGB8U7M por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K9MDG08U5M | K9QDGB8U7M |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Unknown |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $35,50 | $0,00 |
| Tipo de memória | MLC Large Block NAND Flash | NAND Flash |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organização da memória | 16G x 8 bit | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | — |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| Interface | Asynchronous x8 multiplexed address/data | — |
| Encapsulamento | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | — |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: Page Size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: Block Size] |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| Status RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | K9 NAND Flash |
| Tipo de interface | — | [DATA_NEEDED: Interface Type] |
| Tensão de alimentação | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |
| Read Latency | — | [DATA_NEEDED: Read Latency] |
| Package Type | — | BGA (surface mount) |