MPXV5010DP vs MPX5010DP Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MPXV5010DP por NXP Semiconductors e MPX5010DP por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MPXV5010DP | MPX5010DP |
|---|---|---|
| Marca | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Categoria | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,10 | $9,60 |
| Pressure Type | Differential | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload] | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| Tipo de saída | Analog, Ratiometric | Analog, ratiometric |
| Faixa de tensão de saída | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V |
| Tensão de alimentação | 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Accuracy | 5 % (over 0 C to 85 C) | — |
| Response Time | 1 ms typical | — |
| Temperatura de operação | -40 C to +125 C | 0 C to +85 C (compensated) |
| Compensated Temperature | 0 C to 85 C | — |
| Port Style | Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side | — |
| Encapsulamento | 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports | 6-SIP Module |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Through-hole (SIP) |
| Technology | Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| Corrente de alimentação | — | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |