MPXV5010DP vs MPX5010DP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MPXV5010DP par NXP Semiconductors et MPX5010DP par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MPXV5010DP | MPX5010DP |
|---|---|---|
| Marque | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Catégorie | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $9,60 |
| Pressure Type | Differential | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload] | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| Type de sortie | Analog, Ratiometric | Analog, ratiometric |
| Plage de tension de sortie | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V |
| Tension d'alimentation | 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Accuracy | 5 % (over 0 C to 85 C) | — |
| Response Time | 1 ms typical | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | 0 C to +85 C (compensated) |
| Compensated Temperature | 0 C to 85 C | — |
| Port Style | Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side | — |
| Boîtier | 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports | 6-SIP Module |
| Type de montage | Surface Mount | Through-hole (SIP) |
| Technology | Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| Courant d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |