MRFE6S9046GNR1 vs MRFE6S9046NR1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MRFE6S9046GNR1 por NXP Semiconductors e MRFE6S9046NR1 por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 ✓ Ativo
NXP Semiconductors
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046NR1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $18,95 $26,40
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046NR1
Tipo de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral
Technology HV6E lateral MOSFET —
Frequency Band 920 to 960 MHz —
Test Frequency 960 MHz —
Drain Voltage (VDD) 28 V (typical) —
Output Power (Pout, CW) 35.5 W —
Power Gain (Gp) 19 dB —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Quiescent Drain Current (IDQ) 300 mA —
Input Bias Voltage Range [DATA_NEEDED: VGS range] —
Encapsulamento / Caixa TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1), plastic overmold TO-270 WB-4 (CASE 1486-03, Style 1), plastic over-molded ceramic
Tipo de montagem Surface Mount (Gull-wing leads) Surface Mount / Flange Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant (lead-free) Compliant (per DigiKey listing)
Livre de halogênio [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Frequency Range — 920 MHz to 960 MHz
Output Power (CW) — 35.5 W typical at 960 MHz, 28 V
Power Gain — 19 dB typical at 960 MHz
Drain-Source Voltage (Vds max) — 66 V rated
Operating Drain Voltage — 28 V nominal
Test Current (Quiescent) — 300 mA
Contagem de pinos — 5 (Drain, Gate, Source x2, NC)
Application — GSM / GSM EDGE base station, CDMA, multicarrier amplifier
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free Status — Lead Free (per distributor data)

Fichas técnicas e recursos

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