MRFE6S9046GNR1 vs MRFE6S9046NR1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRFE6S9046GNR1 от NXP Semiconductors и MRFE6S9046NR1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046NR1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $18,95 $26,40
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046NR1
Тип транзистора N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral
Technology HV6E lateral MOSFET —
Frequency Band 920 to 960 MHz —
Test Frequency 960 MHz —
Drain Voltage (VDD) 28 V (typical) —
Output Power (Pout, CW) 35.5 W —
Power Gain (Gp) 19 dB —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Quiescent Drain Current (IDQ) 300 mA —
Input Bias Voltage Range [DATA_NEEDED: VGS range] —
Корпус / Типоразмер TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1), plastic overmold TO-270 WB-4 (CASE 1486-03, Style 1), plastic over-molded ceramic
Тип монтажа Surface Mount (Gull-wing leads) Surface Mount / Flange Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
Уровень чувствительности к влаге (MSL) [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant (lead-free) Compliant (per DigiKey listing)
Без галогенов [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Frequency Range — 920 MHz to 960 MHz
Output Power (CW) — 35.5 W typical at 960 MHz, 28 V
Power Gain — 19 dB typical at 960 MHz
Drain-Source Voltage (Vds max) — 66 V rated
Operating Drain Voltage — 28 V nominal
Test Current (Quiescent) — 300 mA
Число выводов — 5 (Drain, Gate, Source x2, NC)
Application — GSM / GSM EDGE base station, CDMA, multicarrier amplifier
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free Status — Lead Free (per distributor data)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену