NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16CP-DIA por Nanya Technology e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5CC256M16CP-DIA K4B4G1646E-BYMA
Marca Nanya Technology Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,90 $14,32
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit (256M x 16) —
Taxa de dados 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps/pin
Tensão de alimentação 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Encapsulamento TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
Faixa de temperatura de operação -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Density — 4 Gb
Organização da memória — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
Temperatura de operação — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Número de pinos — 96

Fichas técnicas e recursos

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