NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細な並列比較: NT5CC256M16CP-DIA メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CC256M16CP-DIA K4B4G1646E-BYMA
ブランド Nanya Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.90 $14.32
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit (256M x 16) —
データレート 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps/pin
電源電圧 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
パッケージ TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
動作温度範囲 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Density — 4 Gb
メモリ構成 — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
動作温度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
ピン数 — 96

データシート&リソース

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