NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CP-DIA от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CC256M16CP-DIA K4B4G1646E-BYMA
Бренд Nanya Technology Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,90 $14,32
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 4 Gbit (256M x 16) —
Скорость передачи данных 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps/pin
Напряжение питания 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Корпус TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Density — 4 Gb
Организация памяти — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
Рабочая температура — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Количество выводов — 96

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену