NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DIA par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-DIA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 1600 Mbps (800 MHz clock) | 1866 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Boîtier | TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Access Time (tAC) | 0.225 ns | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | — | 96 |