NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-DIA von Nanya Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16CP-DIA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Datenrate | 1600 Mbps (800 MHz clock) | 1866 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Gehäuse | TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Access Time (tAC) | 0.225 ns | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |