STF13N95K3 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de STF13N95K3 por STMicroelectronics e IPN95R1K2P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro STF13N95K3 IPN95R1K2P7ATMA1
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $0,36
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 8.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 39 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.55 ohm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +150C
Encapsulamento TO-220FP SOT-223-3 (PG-SOT223)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS P7 (Super Junction)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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