BSC097N06NSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC097N06NSATMA1 от Infineon и BSC0921NDIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC097N06NSATMA1 BSC0921NDIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] 31 A (per channel, package-limited)
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 25V (N-channel)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (Unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Корпус — PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Рабочая температура — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену