BSP316PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSP316PH6327XTSA1 от Infineon и BSS169H6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP316PH6327XTSA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSP316PH6327XTSA1 | BSS169H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,21 | $0,15 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Корпус | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C (junction) | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] |
| Количество выводов | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | Depletion-mode vertical DMOS |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 170 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 360 mW (Ta) |
| RDS(on) Maximum | — | 6 Ohm at VGS=0 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] |
| Число выводов | — | 3 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Drain Current at 25C | — | 170 mA continuous |
| Typical RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] |