CSD13302W vs CSD15571Q2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок CSD13302W от Texas Instruments и CSD15571Q2 от Texas Instruments. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ Активен
Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр CSD13302W CSD15571Q2
Бренд Texas Instruments Texas Instruments
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,19 $0,19
Technology NexFET NexFET
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 12 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.6 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (RDS(on)) 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V —
Gate Charge (Qg) 4.1 nC at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Threshold Voltage (VGS(th)) 0.9 V —
Maximum Gate-Source Voltage ±8 V —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta=25°C) —
Корпус 4-DSBGA (1x1) WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Height 0.4 mm —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Drain-Source Voltage (Vds) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) — 22 A (Ta=25°C)
On-Resistance (Rds(on)) — 19.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W (Ta=25°C)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.1 V (typical)
Number of Channels — 1
Maximum Power Dissipation — 2.5 W

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену