CSD13302W vs CSD15571Q2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de CSD13302W por Texas Instruments e CSD15571Q2 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ Ativo
Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro CSD13302W CSD15571Q2
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,19 $0,19
Technology NexFET NexFET
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 12 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.6 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (RDS(on)) 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V —
Gate Charge (Qg) 4.1 nC at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Threshold Voltage (VGS(th)) 0.9 V —
Maximum Gate-Source Voltage ±8 V —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta=25°C) —
Encapsulamento 4-DSBGA (1x1) WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Height 0.4 mm —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Drain-Source Voltage (Vds) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) — 22 A (Ta=25°C)
On-Resistance (Rds(on)) — 19.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W (Ta=25°C)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.1 V (typical)
Number of Channels — 1
Maximum Power Dissipation — 2.5 W

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação