CSD13302W vs CSD15571Q2 比較

詳細な並列比較: CSD13302W メーカー: Texas Instruments および CSD15571Q2 メーカー: Texas Instruments。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ 生産中
Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CSD13302W CSD15571Q2
ブランド Texas Instruments Texas Instruments
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.19 $0.19
Technology NexFET NexFET
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 12 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.6 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (RDS(on)) 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V —
Gate Charge (Qg) 4.1 nC at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Threshold Voltage (VGS(th)) 0.9 V —
Maximum Gate-Source Voltage ±8 V —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta=25°C) —
パッケージ 4-DSBGA (1x1) WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Height 0.4 mm —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
動作温度範囲 -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Drain-Source Voltage (Vds) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) — 22 A (Ta=25°C)
On-Resistance (Rds(on)) — 19.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W (Ta=25°C)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.1 V (typical)
Number of Channels — 1
Maximum Power Dissipation — 2.5 W

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼