CSD13302W vs CSD15571Q2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CSD13302W par Texas Instruments et CSD15571Q2 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ Actif
Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre CSD13302W CSD15571Q2
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,19 $0,19
Technology NexFET NexFET
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 12 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.6 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (RDS(on)) 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V —
Gate Charge (Qg) 4.1 nC at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Threshold Voltage (VGS(th)) 0.9 V —
Maximum Gate-Source Voltage ±8 V —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta=25°C) —
Boîtier 4-DSBGA (1x1) WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Height 0.4 mm —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Drain-Source Voltage (Vds) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) — 22 A (Ta=25°C)
On-Resistance (Rds(on)) — 19.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W (Ta=25°C)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.1 V (typical)
Number of Channels — 1
Maximum Power Dissipation — 2.5 W

Fiches techniques et ressources

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