H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix и K4A8G085WC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,74 | $24,90 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Организация памяти | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 2400 MT/s | — |
| Корпус | FBGA-96 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Статус RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |