H5AN8G6NDJR-XNC vs H5AN8G6NDJR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NDJR-XNC от SK hynix и H5AN8G6NDJR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NDJR-XNC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $55,68 | $35,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Корпус | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | 85 °C |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Задержка CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |