IPD100N04S402ATMA1 vs IRF3205STRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD100N04S402ATMA1 от Infineon и IRF3205STRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 - 40V 100A Automotive N-MOSFET | Infineon

IPD100N04S402ATMA1 - 40V 100A Automotive N-MOSFET | Infineon

IPD100N04S402ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD100N04S402ATMA1 IRF3205STRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $1,02
Channel Type N-channel —
Operating Mode Enhancement mode —
Drain-Source Voltage 40 V —
Continuous Drain Current 100 A at Tc —
Power Dissipation 150 W at Tc —
On-Resistance 4.0 mΩ —
Configuration Single MOSFET with built-in diode —
Корпус PG-TO252-3-313 surface-mount DPAK TO-263-3 (D2PAK)
Число выводов 3 pins plus tab —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Testing 100% avalanche tested —
Minimum Operating Temperature -55°C —
Maximum Operating Temperature 175°C —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Moisture Sensitivity Level MSL1 —
Статус RoHS Compliant —
Тип монтажа Surface mount Surface Mount
Package Body Material Plastic/epoxy —
JEDEC Package Code TO-252 —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
Пороговое напряжение затвора [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Reverse-Biased Safe Operating Area [DATA_NEEDED: SOA data] —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 390 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 97.3 nC typical
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +175 °C (Tj)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Technology — HEXFET (advanced process)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену