M29W640GB70N3F vs M29W128GH70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W640GB70N3F от Micron Technology и M29W128GH70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W640GB70N3F M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W128GH70N3F M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W640GB70N3F M29W128GH70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,66 $0,00
Тип памяти NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 64 Mb (8 MB) 128 Mbit (16 MB)
Организация памяти x8 / x16 8M x16 / 16M x8
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания 2.7 V to 3.6 V —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Qualification Automotive AEC-Q100 —
Корпус 48-TSOP I 56-TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Interface Parallel command set with status polling —
Block Architecture Uniform block (GB variant) [DATA_NEEDED: block size/organization]
Part Status Obsolete —
Статус RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Read Current [DATA_NEEDED: active read current] —
Интерфейс — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 3 V (2.7 V to 3.6 V)
Erase/Program Cycles — [DATA_NEEDED: endurance rating]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
CFI Compliant — Yes
Supply Current - Read — [DATA_NEEDED: ICC read]
Supply Current - Program/Erase — [DATA_NEEDED: ICC write]
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену