M29W640GB70N3F vs M29W128GH70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W640GB70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W128GH70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W640GB70N3F | M29W128GH70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.66 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 64 Mb (8 MB) | 128 Mbit (16 MB) |
| 메모리 구성 | x8 / x16 | 8M x16 / 16M x8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Qualification | Automotive AEC-Q100 | — |
| 패키지 | 48-TSOP I | 56-TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Interface | Parallel command set with status polling | — |
| Block Architecture | Uniform block (GB variant) | [DATA_NEEDED: block size/organization] |
| Part Status | Obsolete | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | — | 3 V (2.7 V to 3.6 V) |
| Erase/Program Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance rating] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| CFI Compliant | — | Yes |
| Supply Current - Read | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |
| Supply Current - Program/Erase | — | [DATA_NEEDED: ICC write] |
| Programming Voltage | — | Single supply (no separate VPP required) |