MC33289DWR2 vs BTS621L1E3128ABUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MC33289DWR2 от NXP Semiconductors и BTS621L1E3128ABUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MC33289DWR2 MC33289DWR2 - Dual High-Side Switch 40mOhm 27V | NXP SOIC-20

MC33289DWR2 - Dual High-Side Switch 40mOhm 27V | NXP SOIC-20

MC33289DWR2 ✓ Активен
Infineon
BTS621L1E3128ABUMA1 BTS621L1E3128ABUMA1 - 24V Dual Hi-Side Switch, 8mΩ PROFET | Infineon

BTS621L1E3128ABUMA1 - 24V Dual Hi-Side Switch, 8mΩ PROFET | Infineon

BTS621L1E3128ABUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MC33289DWR2 BTS621L1E3128ABUMA1
Бренд NXP Semiconductors Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $2,45
Product Type Dual High-Side Switch (DHSS) Dual-channel smart high-side power switch (PROFET)
Топология 2 x High-Side N-MOSFET switches —
On-State Resistance (RDSon) 40 mOhm (per channel) —
Supply Voltage Range (VCC) 6 V to 27 V —
Maximum Transient Voltage 40 V (load dump tolerant) —
Output Current per Channel [DATA_NEEDED: continuous current rating per channel] —
Количество выходов 2 —
Input Compatibility TTL/CMOS compatible logic inputs —
Fault Protection Current limit, thermal shutdown, open-load detect —
Status Feedback Yes (fault flag output) —
Рабочая температура -40C to +125C (automotive grade) —
Корпус 20-SOIC (0.295 inch, 7.50 mm width) PG-TO263-7-2 (D2PAK-7, exposed tab)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Automotive Grade Yes (AEC-Q100 qualified) —
Charge Pump Integrated (gate drive) —
Number of Channels — 2 (dual high-side, 1:1)
FET Topology — N-Channel vertical power MOSFET with charge pump
On-State Resistance Rds(on) — 8 mΩ typical per channel
Nominal Operating Voltage — 12 V (automotive bus)
Maximum Supply Voltage — 24 V (load-dump survivable)
Continuous Load Current — 4.4 A per channel
Диапазон рабочих температур — -40 °C to +150 °C junction
Input Logic Compatibility — CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback — Yes - open-load and overtemperature reporting
Embedded Protection — Overload, current limit, short-circuit, thermal shutdown, overvoltage (load dump), fast demagnetization, reverse battery
Technology — Smart SIPMOS (monolithic)
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену