MRF6S21100HR3 vs MRFG35010NT1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF6S21100HR3 от NXP Semiconductors и MRFG35010NT1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HR3 - 23W 2.11-2.17GHz W-CDMA RF LDMOS | NXP

MRF6S21100HR3 - 23W 2.11-2.17GHz W-CDMA RF LDMOS | NXP

MRF6S21100HR3 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRFG35010NT1 MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр MRF6S21100HR3 MRFG35010NT1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $38,95 $25,95
Тип транзистора LDMOS (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) GaAs pHEMT RF Power FET
Configuration Single Unmatched, common source
Frequency Band 2.11 GHz to 2.17 GHz —
Output Power (Average) 23 W (W-CDMA, CW equivalent ~100 W PEP) —
Power Gain (Typ) 15.9 dB at 2.14 GHz —
Drain-Source Voltage Rating (VDS max) 68 V —
Test Supply Voltage (VDD) 28 V —
Quiescent Drain Current (IDQ) 950 mA —
Test Drain Current 950 mA —
Корпус NI-780H-2L (ceramic flange) —
Тип монтажа Surface Mount / bolt-down flange Chassis-mount / flange-bolt
Maximum Power Dissipation (Abs) 388 W —
Operating Mode Class AB (PCN/PCS/cellular, WLL, TD-SCDMA) —
Terminal Position Dual —
Lead Free Status [DATA_NEEDED: RoHS/lead-free explicit statement] Lead free (per datasheet)
Статус RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MRFG35010NT1
Drain-Source Voltage Rating (Vds) — 15 V
Continuous Drain Current Rating — 2.9 A
Operating Frequency — 3.55 GHz
Frequency Range — 1.8 GHz to 3.6 GHz
Test Voltage — 12 V
Test Current (quiescent) — 180 mA
Associated Power Gain — 10 dB at 3.55 GHz
Output Power — 9 W at 3.55 GHz
Class of Operation — Class AB linear
Корпус / Типоразмер — PLD-1.5 flanged ceramic
Supplier Device Package — PLD-1.5

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену