MRFG35010NT1 vs MRF6S21100HR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRFG35010NT1 от NXP Semiconductors и MRF6S21100HR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRFG35010NT1 MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HR3 - 23W 2.11-2.17GHz W-CDMA RF LDMOS | NXP

MRF6S21100HR3 - 23W 2.11-2.17GHz W-CDMA RF LDMOS | NXP

MRF6S21100HR3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRFG35010NT1 MRF6S21100HR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $25,95 $38,95
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Part Number MRFG35010NT1 —
Тип транзистора GaAs pHEMT RF Power FET LDMOS (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
Drain-Source Voltage Rating (Vds) 15 V —
Continuous Drain Current Rating 2.9 A —
Operating Frequency 3.55 GHz —
Frequency Range 1.8 GHz to 3.6 GHz —
Test Voltage 12 V —
Test Current (quiescent) 180 mA —
Associated Power Gain 10 dB at 3.55 GHz —
Output Power 9 W at 3.55 GHz —
Configuration Unmatched, common source Single
Class of Operation Class AB linear —
Корпус / Типоразмер PLD-1.5 flanged ceramic —
Supplier Device Package PLD-1.5 —
Тип монтажа Chassis-mount / flange-bolt Surface Mount / bolt-down flange
Lead Free Status Lead free (per datasheet) [DATA_NEEDED: RoHS/lead-free explicit statement]
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: explicit RoHS compliance statement]
Frequency Band — 2.11 GHz to 2.17 GHz
Output Power (Average) — 23 W (W-CDMA, CW equivalent ~100 W PEP)
Power Gain (Typ) — 15.9 dB at 2.14 GHz
Drain-Source Voltage Rating (VDS max) — 68 V
Test Supply Voltage (VDD) — 28 V
Quiescent Drain Current (IDQ) — 950 mA
Test Drain Current — 950 mA
Корпус — NI-780H-2L (ceramic flange)
Maximum Power Dissipation (Abs) — 388 W
Operating Mode — Class AB (PCN/PCS/cellular, WLL, TD-SCDMA)
Terminal Position — Dual

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену