MT40A512M16LY-075 vs NT5AD512M16C4-JR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16LY-075 от Micron Technology и NT5AD512M16C4-JR от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Активен
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16LY-075 NT5AD512M16C4-JR
Бренд Micron Technology Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $27,89 $73,75
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Организация памяти 512M x 16 512M x16
Clock Speed 1.33 GHz —
Скорость передачи данных DDR4-2666 1.6 GHz (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Корпус 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Тип монтажа Surface Mount —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену