MT40A512M16LY-075 vs NT5AD512M16C4-JR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-075 par Micron Technology et NT5AD512M16C4-JR par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Actif
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-075 NT5AD512M16C4-JR
Marque Micron Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $27,89 $73,75
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x16
Clock Speed 1.33 GHz —
Débit de données DDR4-2666 1.6 GHz (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Type de montage Surface Mount —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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