MT40A512M16LY-075 vs NT5AD512M16C4-JR 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16LY-075 제조: Micron Technology 및 NT5AD512M16C4-JR 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 활성
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16LY-075 NT5AD512M16C4-JR
브랜드 Micron Technology Nanya Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $27.89 $73.75
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
메모리 구성 512M x 16 512M x16
Clock Speed 1.33 GHz —
데이터 속도 DDR4-2666 1.6 GHz (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
패키지 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
동작 온도 범위 0°C to +95°C 0°C to +95°C
실장 유형 Surface Mount —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

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