MT40A512M16LY-075 vs NT5AD512M16C4-JR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-075 von Micron Technology und NT5AD512M16C4-JR von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Aktiv
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16LY-075 NT5AD512M16C4-JR
Marke Micron Technology Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $27,89 $73,75
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x16
Clock Speed 1.33 GHz —
Datenrate DDR4-2666 1.6 GHz (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Montageart Surface Mount —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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