MW7IC2240NBR1 vs MW7IC2240NR1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MW7IC2240NBR1 от NXP Semiconductors и MW7IC2240NR1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MW7IC2240NBR1 MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 Obsolete
NXP Semiconductors
MW7IC2240NR1 MW7IC2240NR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS PA, 2110-2170 MHz | NXP

MW7IC2240NR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS PA, 2110-2170 MHz | NXP

MW7IC2240NR1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MW7IC2240NBR1 MW7IC2240NR1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория RF Amplifiers RF Amplifiers
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $29,00 $13,16
Frequency Range 2110 MHz to 2170 MHz (usable 2000-2200 MHz) 2110 MHz to 2170 MHz (usable 2000-2200 MHz)
Modulation / RF Type W-CDMA (also TD-SCDMA, LTE) —
Output Power (Average) 4 W Avg. @ 2112.5 MHz, single-carrier W-CDMA —
Supply Voltage (VDD) 28 V (rated 24 V to 32 V operation) —
Quiescent Current Stage 1 (IDQ1) 90 mA —
Quiescent Current Stage 2 (IDQ2) 420 mA —
Minimum Gain 15 dB (typical 30 dB) —
Input VSWR 5:1 5:1
Output VSWR 5:1 5:1
Nominal Impedance 50 ohm (on-chip matched) 50 ohm (DC-blocked input, >3 ohm output)
P1dB (Output) 46 dBm (per distributor listing) —
Technology RF LDMOS (multi-stage integrated) LDMOS (Laterally Diffused MOSFET)
Корпус TO-272 WB-16 (over-molded plastic, 16-lead) TO-270 WBL-16 (TO-270WB16), 16-pin ceramic
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount / flange mount with ground pad
Terminal Finish Matte Tin (Sn) —
Package Body Material Plastic / Epoxy —
Operating Mode 100% PAR tested for W-CDMA-like signals —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] —
Функция — RF Power Amplifier (W-CDMA, multi-stage)
Average Output Power — 4 W (W-CDMA, 28 V)
Power Gain (Min) — 15 dB
Drain Supply Voltage — 24 V to 32 V (28 V typical)
Spurious Emissions — Below -60 dBc from 100 mW to 10 W CW Pout
On-Chip Matching — Yes (input 50 ohm DC-blocked, partial output)
Quiescent Current Compensation — Integrated with temperature compensation
Enable Function — Yes
Operating Modulation Formats — W-CDMA, TD-SCDMA, LTE-FDD, multi-carrier

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену