BC817-40-SNR vs BC817-40 Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng BC817-40-SNR sa pamamagitan ng Nexperia at BC817-40 sa pamamagitan ng Nexperia. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Nexperia
BC817-40-SNR BC817-40-SNR - 45V 500mA NPN Transistor SOT-23 | Nexperia

BC817-40-SNR - 45V 500mA NPN Transistor SOT-23 | Nexperia

BC817-40-SNR ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro BC817-40-SNR BC817-40
Brand Nexperia Nexperia
Kategorya Transistors Transistors
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Uri ng Transistor NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Packhaging SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
Voltage ng Collector-Emitter (Vceo) 45 V 45 V
Voltage ng Collector-Base (Vcbo) 50 V 50 V
Voltage ng Emitter-Base (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) 1000 mA [DATA_NEEDED: ICM value]
Pwersang Pinahihigpit (Ptot) 250 mW —
Dalas ng Transisyon (ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) 250 to 630 (at VCE=2V, IC=100mA) —
hFE Bin -40 (high gain bin) —
Temperature na Operasyon -65 C to +150 C —
Pin Configuration 1-Base, 2-Emitter, 3-Collector (SOT-23 standard) —
Tindminan RoHS Compliant Compliant
Level ng MSL MSL 1 1
Complement (PNP) BC807-40 —
Packaging Suffix /SNR (SOT-23, Tape and Reel, 3000 pcs) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Temperature ng Junction na Operasyon — -65 C to +150 C
Complementary PNP Part — BC807-40

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita