H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-PBC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN4G6NBJR-UHC sa pamamagitan ng SK hynix at H5ANAG6NBJR-PBC sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Temperature na Operasyon | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Packhaging | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes (DM) | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| Tindminan RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |