K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BCRC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WC-BCPB sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Tapus ng Buhay
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | DRAM | DRAM |
| Katayuan ng Lifecycle | Tapus ng Buhay | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Rate ng Data | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperature na Operasyon | 0 C to +85 C | 0C to +95C |
| Packhaging | 78FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| Mga Karakteristika | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto/Self refresh |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Tindminan RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |