K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCTD Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WC-BCTD sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Huling PagbiliPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | DRAM | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Huling Pagbili |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Rate ng Data | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Packhaging | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Uri ng Interface | — | Synchronous, parallel |