K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WC-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Lần mua cuốiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Lần mua cuối |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Hộp | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Loại giao diện | — | Synchronous, parallel |