K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداری

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال آخری بار خریداری
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps (DDR4-2400) 2666 Mbps (PC4-2133)
پیکیج 78-ball FBGA (TFBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
Terminal Pitch 0.8 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C 0C to +95C
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Die Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh Auto/Self refresh —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
انٹرفیس ٹائپ — Synchronous, parallel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں