K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BYMATCV Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646E-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646E-BYMATCV sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| Rate ng Data | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| Packhaging | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Latensya ng CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Bilang ng Pins | — | 96 |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |