K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BYMATCV مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYMATCV بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| معدل البيانات | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| العلبة | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (TC) | — |
| زمن الوصول CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| حالة RoHS | — | Compliant |