K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BYMATCV موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| ڈیٹا ریٹ | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (TC) | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (CL-tRCD-tRP) | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |