W634GU6RB-12 vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB-12 sa pamamagitan ng Winbond at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB-12 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13) | FBGA-96 |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | 96 | 96 |
| Rate ng Data | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |