W634GU6RB-12 vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma W634GU6RB-12 tarafından Winbond ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre W634GU6RB-12 K4B4G1646E-BYMA
Marka Winbond Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $14,32
Bellek Türü SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Bellek Boyutu 4Gbit —
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Arayüz Parallel —
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz
Access Time 20 ns —
Besleme Gerilimi 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Paket 96-VFBGA (7.5x13) FBGA-96
Speed Grade DDR3L-1600 (11-11-11) —
İşletim Sıcaklığı -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 96 96
Veri Hızı 1600 MT/s 1866 Mbps/pin
Density — 4 Gb
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin