1EDN7146UXTSA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7146UXTSA1 tarafından Infineon ve 2EDN7434RXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7146UXTSA1 2EDN7434RXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Artış Süresi [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Düşüş Süresi [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature]
Paket PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin