2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL6014ACG2DXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDL8033G4BXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (HS + LS)
Çıkış Konfigürasyonu Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) Junction-isolated (non-galvanic)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Ağ Yapısı — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
RoHS Durumu — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin