2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL6014ACG2DXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8033G4BXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (HS + LS)
תצורת מוצא Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) Junction-isolated (non-galvanic)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
טופולוגיה — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
סטטוס RoHS — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר