2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL6014ACG2DXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDL900G3XTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL900G3XTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Çıkış Konfigürasyonu Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) Junction isolation (JI), 120 V
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 C to +125 C
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin