BGA7L1N6E6327XT vs BGA7L1N6E6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BGA7L1N6E6327XT tarafından Infineon ve BGA7L1N6E6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BGA7L1N6E6327XT | BGA7L1N6E6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Type | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB | 13.3 dB (typical) |
| Noise Figure (NF) | 0.90 dB | — |
| Besleme Gerilimi | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| Besleme Akımı | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic level | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable |
| Paket | TSNP-6-2 (leadless) | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm |
| Package Footprint | 0.7 mm x 1.1 mm | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40C to +85C | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Ağ Yapısı | Single-stage with on-chip matching and bypass | — |
| Application Band | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BGA7L1N6E6327XTSA1 |
| Fonksiyon | — | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure | — | 0.90 dB (typical) |
| Input/Output Impedance | — | Internally matched to 50 ohm |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +85 C |
| Standard Pack Quantity | — | 15,000 (reel) |
| Target Application | — | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end |