BGA7L1N6E6327XT vs BGA7L1N6E6327XTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BGA7L1N6E6327XT بذریعہ Infineon اور BGA7L1N6E6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BGA7L1N6E6327XT | BGA7L1N6E6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Type | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB | 13.3 dB (typical) |
| Noise Figure (NF) | 0.90 dB | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| سپلائی کرنٹ | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic level | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable |
| پیکیج | TSNP-6-2 (leadless) | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm |
| Package Footprint | 0.7 mm x 1.1 mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40C to +85C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| ٹوپولوجی | Single-stage with on-chip matching and bypass | — |
| Application Band | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BGA7L1N6E6327XTSA1 |
| فنکشن | — | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure | — | 0.90 dB (typical) |
| Input/Output Impedance | — | Internally matched to 50 ohm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -40 C to +85 C |
| Standard Pack Quantity | — | 15,000 (reel) |
| Target Application | — | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end |