BSC010NE2LSIATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC010NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSZ011NE2LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC010NE2LSIATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series / Family OptiMOS 25V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 5 (Trench)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin