BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC022N04LS6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Paket | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Tradename | — | OptiMOS |