BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Tradename | — | OptiMOS |